小電壓MOS管的選型是很重要的一個環節，MOS管選擇不好有可能影響到整個電路的效率和成本，同時也會給工程師帶來諸多麻煩，下面就跟著冠華偉業一起來學習下MOS管正確的選擇方

法吧

                                         

選用N溝道還是P溝道，為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應用中，當一個MOS管接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOS管就構成了低

壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝道MOS管，這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。 當MOS管連接到總線及負載接地時，就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P

溝道MOS管，這也是出于對電壓驅動的考慮。確定額定電流， 選擇MOS管的額定電流。視電路結構而定，該額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相

似，設計人員必須確保所選的MOS管能承受這個額定電流，即使在系統產生尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續模式和脈沖尖峰。在連續導通模式下，MOS管處于穩態，此時電流

連續通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌（或尖峰電流）流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。確定熱要求，選擇MOS管還

需要計算系統的散熱要求。設計人員必須考慮兩種不同的情況，即最壞情況和真實情況。建議采用針對最壞情況的計算結果，因為這個結果提供更大的安全余量，能確保系統不會失

效。在MOS管的資料表上還有一些需要注意的測量數據；比如封裝器件的半導體結與環境之間的熱阻，以及最大的結溫。決定開關性能，選擇MOS管的最后一步是決定MOS管的開關性

能。影響開關性能的參數有很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/ 源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產生開關損耗，因為在每次開關時都要對它們充電。MOS管的開關速

度因此被降低，器件效率也下降。為計算開關過程中器件的總損耗，設計人員必須計算開通過程中的損耗（Eon）和關閉過程中的損耗。

                                       

當vGS數值較小，吸收電子的才能不強時，漏——源極之間仍無導電溝道呈現，vGS增加時，吸收到P襯底外表層的電子就增加，當vGS到達某一數值 時，這些電子在柵極左近的P襯底

外表便構成一個N型薄層，且與兩個N+區相連通，在漏——源極間構成N型導電溝道，其導電類型與P襯底相反，構成反型層。vGS越大，作用于半導體外表的電場就越強，吸收到P襯

底外表的電子就越多，導電溝道越厚，溝道電阻越小。即N溝道MOS管在vGS＜VT時，不能構成導電溝道，管子處于截止狀態。只要當vGS≥VT時，才有溝道構成。溝道構成以后，在漏

——源極間加上正向電壓vDS，就有漏極電流產生。但是Vgs繼續加大，比方IRFPS40N60KVgs=100V時Vds=0和Vds=400V，兩種狀況下，對管子功用帶來什么影響，若燒壞，緣由和內部

機理過程是怎樣的呢？Vgs增大會減小Rds（on）減小開關損耗，但是同時會增大Qg，使得開啟損耗變大，影響效率MOSFET 的GS 電壓經Vgg 對Cgs 充電而上升，抵達維持電壓Vth，

MOSFET 開端導電；MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區間內因DS 電容的放電而放電，對GS 電容的充電影響不大；Qg=Cgs*Vgs, 但是電荷會持續積聚。MOSFET 的DS 電壓

降至與Vgs 相同的電壓，Millier 電容大大增加，外部驅動電壓對Millier 電容停止充電，GS 電容的電壓不變，Millier 電容上電壓增加，而DS電容上的電壓繼續減小；MOSFET 的

DS 電壓降至飽和導通時的電壓，Millier 電容變小并和GS 電容一同由外部驅動電壓充電，GS 電容的電壓上升；電壓測量溝道的有國產的3D01，4D01，日產的3SK系列。G極（柵

極）的確定：利用萬用表的二極管檔。若某腳與其他兩腳間的正反壓降均大于2V，即顯示“1”，此腳即為柵極G。再交換表筆測量其余兩腳，壓降小的那次中，黑表筆接的是D極

（漏極），紅表筆接的是S極（源極）。