主要參數(shù)記住以下幾點(diǎn)：

 Idss ：飽和漏源電流，是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓UGS=0時(shí)的漏源電流

 Up ：夾斷電壓，是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓.

 Ut ：開啟電壓，是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓

 gM ：跨導(dǎo)， 此乃衡量場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù).

 BVDS ：漏源擊穿電壓，是指柵源電壓UGS一定時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的漏源電壓

 PDSM：耗散功率，也是一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的漏源耗散功率

 IDSM ： 漏源電流，是一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許通過的電流 DC/DC轉(zhuǎn)換器是一種開關(guān)型穩(wěn)壓電源，一般分為四種：

（1） 極性反轉(zhuǎn)式：其特點(diǎn)是輸出電壓的極性正好與輸入電壓相反。特點(diǎn)是Vo=－VI，二者的值相同。除此之外，mos管小封裝，還有輸出固定負(fù)壓、可調(diào)負(fù)壓兩種。

（2） 其特征是VO>VI，變換器具有提升電源電壓的作用。

（3） 利用變換器來降低電源電壓，使VO<VI 。

（4） 低壓差集成穩(wěn)壓器。這類集成穩(wěn)壓器的輸入－輸出壓差低于0.5～0.6V，甚至在0.1V左右的壓差下已能正常工作，能顯示提高穩(wěn)壓電源的效率。

功率MOS管可否串聯(lián)使用呢?

同類型的不可以串接一起，MOS會(huì)被擊穿，但一般會(huì)把MOS并在一起增加導(dǎo)通電流。

MOSFET的VGS耐壓一般都會(huì)大幅度低于VDS耐壓，以目前較常見的75N75為例，VDS耐壓75V，電流75A，但VGS耐壓只有20V。串接后，從上到下四個(gè)節(jié)點(diǎn)依次是上端MOS的Drain（D1），

上端MOS??的Source（S1)，下端MOS的D2（和S1相連），下端MOS的S2，兩MOS的GATE G1G2相連，G1G2給高壓打開MOS的時(shí)候沒什么大問題，內(nèi)阻小，在DS端形成的電壓也低。但關(guān)斷

后即VGS1=VGS2=0V，此時(shí)MOS兩端的電壓和會(huì)等于你所加的系統(tǒng)電壓，假如是120V，理論上，VDS1會(huì)等于VDS2等于60V，即兩個(gè)MOS形成分壓，從上到下的電勢(shì)依次為D1，120V；S1，

60V；D2，mos管，60V；S2，0V。而此時(shí)，G1G2等于0V，VGS1的電壓就是-60V，MOS柵極會(huì)被擊穿燒毀。